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Effect of Etching Time to Tune Magnetoresistance Between Positive and Negative Values in p-Type Silicon Nanowires

Ben Abdelaziz, B.; Radaoui, M.; Ben Fredj, A.; Romdhane, S.; Ben Alaya, C.; Bouaïcha, M.; Bouchriha, H.

期刊名称Journal of Electronic Materials
作者Ben Abdelaziz, B.; Radaoui, M.; Ben Fredj, A.; Romdhane, S.; Ben Alaya, C.; Bouaïcha, M.; Bouchriha, H.
印刷ISSN0361-5235
电子ISSN1543-186X
文件大小1687.01KB
发表时间2019-9-11
DOI10.1007/s11664-019-07615-7