ESD-failure of E-mode GaN HEMTs: Role of device geometry and charge trapping

Canato, E.; Meneghini, M.; Nardo, A.; Masin, F.; Barbato, A.; Barbato, M.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.

期刊名称Microelectronics Reliability
作者Canato, E.; Meneghini, M.; Nardo, A.; Masin, F.; Barbato, A.; Barbato, M.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
印刷ISSN0026-2714
文件大小2354.18KB
发表时间2019-9
DOI10.1016/j.microrel.2019.06.026

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