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Dynamic characterization of SiC and GaN devices with BTI stresses

Dynamic characterization of SiC and GaN devices with BTI stresses

Ortiz Gonzalez, J.; Hedayati, M.; Jahdi, S.; Stark, B.H.; Alatise, O.

期刊名称Microelectronics Reliability
作者Ortiz Gonzalez, J.; Hedayati, M.; Jahdi, S.; Stark, B.H.; Alatise, O.
印刷ISSN0026-2714
文件大小2533.43KB
发表时间2019-9
DOI10.1016/j.microrel.2019.06.081

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