Influence of the doping concentration on switching processes in psn rectifiers—I: Theory
- 作者H. Benda; F. Dannhäuser; A. Porst; E. Spenke
- 卷第10卷
- 期第12期
- 印刷ISSN0038-1101
- 文件大小1109.95KB
- 发表时间1967
- DOI10.1016/0038-1101(67)90056-1
- 页码1133-1147
1/f noise in double-heterojunction AlGaAs/GaAs laser diodes on GaAs and on Si substratesFang, R. Z.; van Rheenen, A. D.; van der Ziel, A.; Young, A. C.; van der Ziel, J. P. · Journal of Applied Physics · 1990
Low-frequency noise in small InGaAs/InP p-i-n diodes under different bias and illumination conditionsHe, L.; Lin, Y.; van Rheenen, A. D.; van der Ziel, A.; Young, A.; van der Ziel, J. P. · Journal of Applied Physics · 1990
Noise in triode-like JFET'sTakagi, K.; Tazunegi, K.; Van Der van der Ziel, A. · 1979
Conference reportCarolyn M. Van Vliet; A. van der Ziel · 1987
Superstatistical emission noiseK.M. van Vliet; P.H. Handel; A. van der Ziel · 1981
Secondary emission 1/f noise revisitedvan der Ziel, A.; Fang, P.; van Rheenen, A. D. · Journal of Applied Physics · 1989
On the noise generated by diffusion mechanismsK.M. Van Vliet; A. Van der Ziel · 1958
Flicker noise in Gunn diodesA. Peczalski; A. van der Ziel · 1982