High temperature ion implantation of silicon carbide
- 作者W. Wesch; A. Heft; E. Wendler; T. Bachmann; E. Glaser
- 卷第96卷
- 印刷ISSN0168-583X
- 文件大小452.10KB
- 发表时间1995
- DOI10.1016/0168-583x(94)00513-3
- 页码335-338
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