HfO[sub 2] Gate Dielectrics Deposited via Tetrakis Diethylamido Hafnium

Schaeffer, J.; Edwards, N. V.; Liu, R.; Roan, D.; Hradsky, B.; Gregory, R.; Kulik, J.; Duda, E.; Contreras, L.; Christiansen, J.; Zollner, S.; Tobin, P.; Nguyen, B.-Y.; Nieh, R.; Ramon, M.; Rao, R.; Hegde, R.; Rai, R.; Baker, J.; Voight, S.

期刊名称Journal of The Electrochemical Society
作者Schaeffer, J.; Edwards, N. V.; Liu, R.; Roan, D.; Hradsky, B.; Gregory, R.; Kulik, J.; Duda, E.; Contreras, L.; Christiansen, J.; Zollner, S.; Tobin, P.; Nguyen, B.-Y.; Nieh, R.; Ramon, M.; Rao, R.; Hegde, R.; Rai, R.; Baker, J.; Voight, S.
卷第150卷
期第4期
印刷ISSN0013-4651
文件大小684.18KB
发表时间2003
DOI10.1149/1.1554729

发现好书期刊，享受阅读乐趣

HfO[sub 2] Gate Dielectrics Deposited via Tetrakis Diethylamido Hafnium