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Effect of Si substrate on interfacial SiO2 scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks

Effect of Si substrate on interfacial SiO2 scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks

Li, Xiuyan; Yajima, Takeaki; Nishimura, Tomonori; Nagashio, Kosuke; Toriumi, Akira
  • 期刊名称Applied Physics Letters
  • 作者Li, Xiuyan; Yajima, Takeaki; Nishimura, Tomonori; Nagashio, Kosuke; Toriumi, Akira
  • 卷第105卷
  • 期第18期
  • 印刷ISSN0003-6951
  • 电子ISSN1077-3118
  • 文件大小1965.28KB
  • 发表时间2014-11-03
  • DOI10.1063/1.4901172
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