Piezowiderstand von n-Silizium in Abhängigkeit von der elektrischen Feldstärke
- 作者M. Asche; W. M. Bondar; O. G. Sarbej
- 卷第11卷
- 期第1期
- 印刷ISSN0370-1972
- 电子ISSN1521-3951
- 文件大小688.86KB
- 发表时间1965
- DOI10.1002/pssb.19650110123
- 页码255-265
Indium desorption during MBE growth of strained InGaAs layersJ.-P. Reithmaier; H. Riechert; H. Schlötterer; G. Weimann · 1991
Mechanical and electrical properties of epitaxial silicon films on spinelH. Schlötterer · 1968
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Kristallbaufehler beim epitaxialen Wachstum von Silizium auf Magnesium–Aluminium-SpinellH. Schlötterer; Ch. Zaminer · 1966
Low abundance of Escherichia coli microsatellites is associated with an extremely low mutation rateC. SCHLÖTTERER; M. IMHOF; H. WANG; V. NOLTE; B. HARR · 2006
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