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<![CDATA[Electron and hole mobility enhancement in strained-Si MOSFET's on SiGe-on-insulator substrates fabricated by SIMOX technology]]>

Mizuno, T.; Takagi, S.; Sugiyama, N.; Satake, H.; Kurobe, A.; Toriumi, A.

作者Mizuno, T.; Takagi, S.; Sugiyama, N.; Satake, H.; Kurobe, A.; Toriumi, A.
卷第21卷
期第5期
文件大小131.04KB
发表时间2000
DOI10.1109/55.841305
页码230-232

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